书目

半导体量子器件物理

内容简介

《半导体量子器件物理》在简要论述半导体材料基本电学和光学性质的基础上，剖析了近年来半导体器件向小型化发展的趋势，结合作者自身的工作，着重讨论器件的量子效应。对传统二极管、三极管等器件在纳米尺度上的特性以及新型量子器件都作了详尽的阐述。在全书的最后一章，提供了关于量子器件的基本计算方法和程序。《半导体量子器件物理》可作为应用物理、电子学、材料专业领域内高年级本科生、研究生的教材，以及相关领域科研人员的参考读物。

作者简介

博英，1964年生，1984年毕业于厦门大学物理系，获理学学士学位。1990年获瑞典林雪平大学物理与测量技术系工学博士学位。现任瑞典哥德堡查尔摩斯工学院物理与技术物理系副教授、瑞典斯德哥尔摩皇家工学院生物工程系副教授。主要从事各种新颖纳米量级的电子器件、分子器件以及传感器的研究。1999年由美国Kluwer出版公司出版了英文专著PhysicalModelsofSemiconductorQuantumDevices，并撰写了多本英文专业综述丛书的相关章节。

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