高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术

张龙2010年于中国矿业大学获学士学位，2013年、2018年于东南大学分别获硕士、博士学位，2018-2020年在东南大学从事博士后研究工作，目前为东南大学至善青年学者，副教授，博士生导师，博士论文曾入选2019年度中国电子学会优秀博士学位论文。主要研究方向为功率半导体集成工艺及器件，开发了600V高功率密度厚膜绝缘体上硅Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT工艺，并实现了单片全集成智能功率芯片的自主制备。孙伟锋2000年、2003年、2007年于东南大学分别获学士、硕士及博士学位，目前为东南大学首席教授，国家高层次人才，江苏省特聘教授，博士生导师。主要研究方向为功率半导体集成电路。刘斯扬2008年于合肥工业大学获学士学位，2011年、2015年于东南大学分别获硕士、博士学位，2015至2017年在东南大学从事博士后研究工作，目前为东南大学青年首席教授，国家高层次人才，博士生导师，博士论文曾入选2016年度中国电子学会优秀博士学位论文。主要研究方向为功率半导体集成工艺、器件及可靠性。