氧化锌半导体材料掺杂技术与应用

叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院(MIT)；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：ZnO薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。围绕国家光电信息和节能技术目标，完成20余项国家与省部级科研项目。负责完成“十五”国家“973”课题和国家自然基金重点项目各1项；目前在研包括“973”课题、国家自然基金重点项目、面上基金及省部级科研项目10余项。高真空CVD薄膜技术及应用研究取得重要成果。合作创建了国内第一台超高真空CVD设备，自主研发了超高真空CVD和高真空MOCVD两大类创新薄膜系统，发展了低温CVD工艺；研制了优质Si、SiGe和GaN等晶体薄膜材料与器件；整套技术在全国50多家大学和科研单位推广应用；3项成果先后获省部级科技二等奖，其中浙江省科技发明二等奖1项，教育部二等奖2项。在国际上较早开展ZnO研究。1989年ZnO研究结果发表在国际期刊Appl．Opt．上；1990年“ZnO掺In透明导电薄膜”获浙江省科技三等奖。在ZnO薄膜制备、p型掺杂与LED室温电致发射紫蓝光，ZnO透明导电薄膜与低微材料可控制备及高真空CVD技术方面取得了创新成果。其中“ZnO基材料生长、p型掺杂与室温电致发光研究”获2006年浙江省科技一等奖、2007年国家自然科学二等奖；“基于纳米管、纳米线的低维结构材料可控生长与应用基础研究”获2007年浙江省科技一等奖。负责的ZnO研究工作被国家自然科学基金委评为“光电功能材料重大计划”5个亮点成果之一。获得9项成果奖励，其中国家自然科学二等奖1项，浙江省科技一等奖2项，省部级科技二等奖3项；浙江省鉴定成果5项；授权国家发明专利36项；发表论文300多篇，被SCI收录200余篇，其中国际重要期刊．Adv．ater．、Phys．Rev．Lett．、Appl．Phys．Lett．等30余篇；论文被他引1800余次，其中SCI他引1100余次；国际大会报告40多次，其中邀请报告15次，包括美国MRS秋季大会邀请报告。1994年被评为国家重点实验室全国先进工作者并获“金牛奖”；1995年选为浙江省“中青年学术带头人”；1996年入选教育部“跨世纪优秀人才培养计划”；1997年入选国家“百千万人才工程”；1997年享受国务院特殊津贴。2006年被聘为浙江大学求是特聘教授；2007年评为浙江省突出贡献中青年专家；2008年选为浙江省特级专家，评为浙江省优秀留学回国人员。