纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计

作者 [美]Sandip著[印]Aswin Sreedhar著王昱阳译谢文邀译
出版社科学出版社
出版时间 2014年5月第1版
ISBN 9787030400345
定价 58.00

内容简介

《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》的内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法。

作者简介

SandipKundu，PH.D.,是马萨诸塞大学阿姆赫斯特分校电气与计算机工程系的教授，专业从事VLSI设计与测试。此前，他曾任英特尔公司的首席工程师和IBM公司的研究组成员。AswinSreedhar，PH.D.，是马萨诸塞大学阿姆赫斯特分校电气与计算机工程系的研究助理。他的研究兴趣是面向VLSI系统的可制造性设计和电路可靠性设计的统计技术。此前，他曾在英特尔公司和做毕业实习。另外Sreedhar博士凭借基于光刻的成品率建模获得了2009年DATE会议的最佳论文奖。