半导体制造技术导论（第2版）

杨银堂，1962年生，男，河北邯郸市人，博士，教授，博士生导师，毕业于西安电子科技大学半导体专业。曾先后担任该校微电子研究所所长、技术物理学院副院长、微电子学院院长、发展规划处处长兼“211工程”办公室主任，校长助理，兼任总装备部军用电子元器件专家组副组长，曾获国家自然科学基金杰出青年基金、教育部跨世纪优秀人才，全国模范教师和中国青年科技奖，入选国家“百千万人才工程”。现任西安电子科技大学副校长。先后在国际国内重要期刊上发表论文180余篇，出版专著4部。段宝兴，1977年生，男，陕西省大荔县人，博士，教授。分别于2000年和2004年获哈尔滨理工大学材料物理与化学专业学士和硕士学位，2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。主要从事硅基功率器件与集成、宽带隙半导体功率器件和45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术，成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；最近首次在国际上提出了完全3DRESURF概念并已被国际同行认可。先后在国际国内重要期刊上发表论文40余篇，其中30余篇次被SCI、EI检索。担任国际重要学术期刊IEEEElectronDeviceLetters，Solid-StateElectronics，Micro＆NanoLetters，IEEETransactionsonPowerElectronics和IETETechnicalReview等的审稿人。HongXiao（萧宏）1982年于中国科学技术大学获理学学士学位，1985年于中国西南物理研究所获理学硕士学位，1985年至1989年在西南物理研究所从事等离子体物理研究，1995年于美国得克萨斯大学奥斯汀分校获哲学博士学位。1995年至1998年在应用材料公司任高级技术讲师。1998年至2003年在摩托罗拉公司半导体生产部任高级制造工程师，并在奥斯汀社区大学讲授半导体制造技术。2003年至2011年在汉民微测科技股份有限公司任技术专家，现于KLA-Tencor公司任技术专家。目前的研究兴趣为电子束缺陷检测研发和集成电路制造中的电子束缺陷检测。任SPIE会员和讲师，IEEE会员和华美半导体协会终身会员。已发表30多篇期刊论文和国际会议论文，拥有7项美国专利。