硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究
- 作者
- 出版社 江苏大学出版社
- 出版时间 2018年12月 第1版
- ISBN 9787568410304
- 定价 35.00
内容简介
借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具，《硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究》对Sr／Si体系进行了深入的研究，主要分为以下3个部分：（1）第一部分：Si（100）衬底上的Sr／Si再构；（2）第二部分：Si（111）衬底上的Sr／Si再构；（3）第三部分：超薄SrTiO3膜的高温晶化。
丛书
新材料研究系列丛书— END —