太阳电池光电器件研究：氧化锌同质p-n结制备与表征

《太阳电池光电器件研究-氧化锌同质p-n结制备与表征》介绍了通过调控氧化锌的导电特性，分布可控制备出电子导电和空穴导电的n型和p型半导体薄膜材料；系统展示了硅基衬底上氧化锌同质pn结的结构、光学和电学特性的研究成果。采用在ZnO器件结构中插入ZnMgO（简称ZMO）多量子势垒层这种技术明显地提高了穿过结界面的载流子浓度和电子传输速率，初步解决了ZnO基发光器件的高增益问题，为ZnOp-n结器件的应用提供了一个可行的技术方案。本书内容包括氧化锌的基本性质，p型氧化锌薄膜的制备氧化锌的量子阱与超晶格结构，脉冲激光沉积及其表征，氧化锌p-n结器件的PLD制备方法及相关测试技术，氧化锌/ZMO薄膜，ZnMgO多量子势垒及其对氧化锌p-n结器件性能的提升。