宽禁带化合物半导体材料与器件（第二版）

随着信息技术的飞速发展，半导体材料的应用逐渐从集成电路拓展到微波、功率和光电等应用领域。传统元素半导体硅材料不再能满足这些多元化需求，化合物半导体应运而生并快速发展。本书以浙江大学材料科学工程学系“宽禁带化合物半导体材料与器件”课程讲义为基础，参照全国各高等院校半导体材料与器件相关教材，结合课题组多年的研究成果编写而成。此书的编写目的是为高等院校学生提供一本学习和掌握化合物半导体材料与器件的参考书。全书共10章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、GaN、ZnO和Ga2O3的研究现状。