集成电路工艺实验基础

全书分3章，共26个实验，第1章为基础工艺，包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程；第2章为检测测量技术，包含MOSFET器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法(FTIR)测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量；第3章为工艺基础及应用，包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体(ICP)特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生O3及其应用的实验探索。本书的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法,为半导体材料与器件的开发、设计与研制打下坚定基础。