书目

SOI纳米技术时代的高端硅基材料

内容简介

绝缘体上硅(silicononinsulator,SOI)技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用,是微电子和光电子领域发展的前沿,被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。《SOI:纳米技术时代的高端硅基材料》收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇,主要内容包括:SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展,SOI新材料的制备科学,SOI材料与器件特有的物理效应,绝缘体上锗硅(silicongermaniumoninsulator,SGOI)新结构和应变硅的制备科学,SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。《SOI:纳米技术时代的高端硅基材料》可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书,也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。

作者简介

林成鲁,1965年毕业于中国科技大学近代化学系,现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师,上海新傲科技有限公司总工程师。长期从事高端硅基半导体新材料SOI(silicononinsulator)的研究。20世纪80年代,在国内率先开展SOI技术基础研究;90年代,作为SOI创新项目总设计师,组织领导突破SOI材料工程化的关键技术;2001年开始,作为新傲公司总工程师,为成功实现SOI研究成果转化,打破国外的技术封锁,为建成国内唯一的SOI材料工业化生产线做出了重要贡献,实现了我国微电子材料的跨越式发展,取得了重大的经济和社会效益。先后承担国家攻关、“973”、“863”等多项国家重大项目。在国内外刊物上发表论文300余篇,被SCI收录的论文240余篇。申请的国家发明专利19项,其中已授权12项。前后已为国家培养数十名研究生,所培养的研究生中获全国百篇优秀博士论文2名。曾获得国家科技进步一等奖、中科院杰出科技成就奖等十一项奖励。

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