国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）

施敏，（S.M.SZE），获斯坦福大学电气工程专业博士学位，1963-1989年在贝尔实验室工作，1990年起在台湾新竹交通大学（NCTU）电子工程系任教，施敏博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授，并担任多所院校及研究机构的客座教授，他对半导体器件有着基础性和先驱性的贡献，特别重要的是他合作发明了非挥发存储器，如闪存和EEPROM。施敏博士已经作为作者和合作作者发表学术论文200余篇、专著12部，他的《半导体器件物理》（Wiley出版）一书是同时代工程和应用科学出版物中被引用最多的著作（由ISI统计，引用超过15000条）。施敏博士获得过多项奖励，为IEEE的终身会士、台湾中央研究院院士和姜国国家工程院院士。伍国珏（KWOKK．NG），1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位，1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位。1980年进入位于新泽西州MurrayHill的AT&T贝尔实验室，1996年作为朗讯科技的一部分剥离出来．后来隶属于宾夕法尼亚州Allentown的杰尔系统（AgereSystems），2001年作为微电子部独立出来。2005至2007年期间．他在加利福尼亚州SanJose的MVC和北卡罗莱纳州Durham的半导体研究公司工作。伍国珏博士还扭任IEEEEle，ctronicLetters编辑及IEEE出版社的联络员，他是《半导体器件完全指导》（CompleteguidetoSereicondtIClOrDevices）第2版（Wiley出版）的作者。