硅星球：—微电子学与纳米技术革命

约翰·D.克雷斯勒，（JohnD.Cressler），美国佐治亚理工学院电子和计算机工程专业的拜尔斯讲席教授（KenByersProfessor）。1990年在纽约哥伦比亚大学获得应用物理学博士学位。曾在IBM的托马斯·J.沃森研究中心工作8年。目前他的研究集中在开发下一代高速电子元件。已出版的著作有《硅锗异质结双极晶体管》（SiliconGermaniumHeterojunctionBiplarTransistor，2003）、《重塑青少年：培养青少年个性的高雅艺术》（ReinventingTeenagers：TheGentleArtofInstillingCharacterinOurYoungPeople，2004）、《硅异质结手册：材料、制作、器件、电路以及硅锗和硅应变层外延附生的应用》（Silicon，HeterostructureHandbook：Materials，Fabrication，Devices，Circuits，andApplicationofSiGeandSiStrainedLayerEpitaxy，2006）等。他2001年被选为IEEE会员，并因在教学和研究领域成就斐然而获得多个奖项。