计算光刻与版图优化

韦亚一博士，中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学微电子学院教授，博士生导师。1998年毕业于德国Stuttgart大学/Max-Planck固体研究所，师从诺贝尔物理学奖获得者克劳斯·冯·克利津（KlausvonKlitzing），获博士学位。韦亚一博士长期从事半导体光刻设备、材料、软件和制程研发，取得了多项核心技术，发表了超过90篇的专业文献。韦亚一博士在中国科学院微电子研究所创立了计算光刻研发中心，从事20nm以下技术节点的计算光刻技术研究，其研究成果被广泛应用于国内FinFET和3DNAND的量产工艺中。粟雅娟博士，中国科学院微电子研究所研究员，硕士生导师。2005年毕业于清华大学，获博士学位。粟雅娟博士主要从事设计工艺协同优化、计算光刻等领域的研究。发表SCI/EI学术论文30余篇，申请专利10余项。其研究成果被应用于国内设计和制造企业的设计工艺协同优化中。董立松博士，中国科学院微电子研究所副研究员，硕士生导师。2014年毕业于北京理工大学，获博士学位。董立松博士主要从事光刻成像理论、分辨率增强、SMO、OPC等技术的研究工作。发表SCI/EI学术论文30余篇，申请专利10余项。张利斌博士，中国科学院微电子研究所副研究员，硕士生导师。2014年毕业于中国科学院大学(中国科学院半导体研究所)，获工学博士学位。主要从事光刻工艺和测量的表征和建模等研究工作。共发表学术论文40余篇，申请专利10余项。陈睿博士，中国科学院微电子研究所副研究员，硕士生导师。2015年毕业于美国纽约州立大学布法罗分校，获博士学位。陈睿博士主要从事先进技术节点光刻工艺、刻蚀与沉积工艺仿真等领域的研究。发表SCI/EI学术论文30余篇，申请专利20余项。研究成果被应用于国内外先进制造企业的工艺研发和生产中。赵利俊博士，2018年毕业于中国科学院微电子研究所获工学博士学位，同年加入长江存储。博士及工作期间主要从事SMO、OPC及数字电路物理设计等工作。发表学术论文8篇，申请专利5项。