ESD物理与器件

StevenH．Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电(ESD)保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的第一位IEEEFellow。他于1979年在布法罗大学获得了工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院(MIT)获得了电子工程方向的硕士学位；以后又在MIT获得第二个电子工程学位(工程硕士学位)；1986年他在IBM的驻地研究员计划下从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得了电子工程的博士学位。他作为IBM开发团队的一员已有25年的历史，主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性[如软失效率(SER)、热电子、漏电机制、闩锁和ESD]的研究工作。Voldman博士参与到闩锁技术的研发已有27年之久。他的工作主要针对用于双极型SRAM、CMOSDRAM、CMOS逻辑、SOI、BiCMOS、SiGe、RFCMOS、RFSOI、智能电源和图像处理技术中的工艺和电路设计的研究。在2008年，他成为了奇梦达DRAM开发团队的一员，从事70nm、58nm和48nmCMOS工艺的研究。同年，他成立了一个有限责任公司，并作为台积电45mnESD和闩锁开发团队的一部分在其总部中国台湾新竹工作。目前他作为ESD和闩锁研发的高级首席工程师效力于Intersil公司。